熱処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-192077
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100633
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【目的】信頼性の高い絶縁膜と半導体との界面(例えば、酸化膜/シリコン界面)を有する半導体装置を提供することを目的とする。【構成】プラズマを伴わない水素活性種によりシンタリング処理された絶縁膜を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

被処理物を搬出入するための開閉可能な開口部とガスを内部に導入するためのガス導入口とを有する炉心管と;該炉心管内部を加熱するための炉心管加熱手段と;該炉心管の内部に配置された被処理物の位置よりも上流側において、水素ガス又は水素ガスを含むガスから、プラズマを伴うことなく水素活性種を生成させるための水素活性種発生手段と;を少なくとも有することを特徴とする熱処理装置。

IPC (7件)：

H01L 21/322 , H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 21/324 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 21/322 Z , H01L 21/28 B , H01L 21/28 301 T , H01L 21/324 G , H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 321 D

Fターム (79件)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB23 , 4M104BB25 , 4M104BB26 , 4M104BB27 , 4M104BB28 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD65 , 4M104DD78 , 4M104DD82 , 4M104DD89 , 4M104EE03 , 4M104EE06 , 4M104EE09 , 4M104EE14 , 4M104EE15 , 4M104EE16 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104HH16 , 4M104HH18 , 5F048AA07 , 5F048AB03 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA12 , 5F048BB09 , 5F048BB19 , 5F048BD06 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG14 , 5F140AA00 , 5F140AA01 , 5F140AA05 , 5F140AA12 , 5F140AA21 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140BA16 , 5F140BB03 , 5F140BB06 , 5F140BC06 , 5F140BC13 , 5F140BD05 , 5F140BE01 , 5F140BE03 , 5F140BE07 , 5F140BE16 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BF06 , 5F140BF43 , 5F140BJ01 , 5F140BJ07 , 5F140BJ08 , 5F140BK21 , 5F140BK34 , 5F140CA03 , 5F140CA07 , 5F140CB04 , 5F140CC02 , 5F140CC05 , 5F140CC08 , 5F140CC11 , 5F140CD02

引用特許：

審査官引用 (7件)

特公昭49-012033
特開昭63-025949
特開平3-126870

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