半導体装置、及びその作製方法、液晶テレビジョン、並びにELテレビジョン

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-057344
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286317
出願日： 2005年03月02日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】少ない工程数及び原料の削減により、コスト削減及びスループットの向上が可能であり、かつ微細構造の半導体素子を有する半導体装置の作製方法、さらには、液晶テレビジョン、ELテレビジョンの作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、基板上に光吸収層を形成した後光吸収層上に溶液を用いて第1の領域を形成し、光吸収層にレーザ光を照射して熱を生じさせ、該熱により前記第1の領域を加熱して第1の膜パターンを形成することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に光吸収層を形成し、前記光吸収層上に溶液を用いて第1の領域を形成し、前記光吸収層にレーザ光を照射して熱を生じさせ、前記熱により前記第1の領域を加熱して第1の膜パターンを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (7件)：

H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L29/786 , H01S3/00 , H05B33/14

FI (10件)：

H01L29/78 627C , H01L21/28 E , H01L21/288 Z , H01S3/00 B , H05B33/14 A , H01L21/88 B , H01L29/78 617J , H01L29/78 616K , H01L29/78 617U , H01L29/78 617K

Fターム (149件)：

3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007FA00 , 3K007GA00 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD51 , 4M104DD71 , 4M104DD81 , 4M104FF06 , 4M104FF08 , 4M104FF13 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH03 , 5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH16 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH38 , 5F033KK01 , 5F033MM05 , 5F033MM17 , 5F033MM19 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ00 , 5F033QQ01 , 5F033QQ08 , 5F033QQ26 , 5F033QQ27 , 5F033QQ30 , 5F033QQ53 , 5F033QQ54 , 5F033QQ83 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR25 , 5F033SS21 , 5F033VV15 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110BB05 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110EE24 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF10 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG26 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG45 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK15 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK35 , 5F110HL14 , 5F110HM18 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110QQ01 , 5F172ZZ02

引用特許：

出願人引用 (3件)

成膜装置及び成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-364943 出願人：東京エレクトロン株式会社
パターン形成方法およびその形成パターン
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-063856 出願人：キヤノン株式会社
電子機器、半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-018883 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

前のページに戻る