特許

J-GLOBAL ID：200903091703365184

半導体装置、及びその作製方法、液晶テレビジョン、並びにELテレビジョン

発明者： 山本 裕子 ,  山本 良明
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-057344
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286317
出願日： 2005年03月02日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】少ない工程数及び原料の削減により、コスト削減及びスループットの向上が可能であり、かつ微細構造の半導体素子を有する半導体装置の作製方法、さらには、液晶テレビジョン、ELテレビジョンの作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、基板上に光吸収層を形成した後光吸収層上に溶液を用いて第1の領域を形成し、光吸収層にレーザ光を照射して熱を生じさせ、該熱により前記第1の領域を加熱して第1の膜パターンを形成することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に光吸収層を形成し、前記光吸収層上に溶液を用いて第1の領域を形成し、前記光吸収層にレーザ光を照射して熱を生じさせ、前記熱により前記第1の領域を加熱して第1の膜パターンを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (7件)：

H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/786 ,  H01S3/00 ,  H05B33/14

FI (10件)：

H01L29/78 627C ,  H01L21/28 E ,  H01L21/288 Z ,  H01S3/00 B ,  H05B33/14 A ,  H01L21/88 B ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617K

Fターム (149件)：

3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007GA00 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD51 ,  4M104DD71 ,  4M104DD81 ,  4M104FF06 ,  4M104FF08 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH03 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH16 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH38 ,  5F033KK01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM17 ,  5F033MM19 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ26 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ83 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR25 ,  5F033SS21 ,  5F033VV15 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE24 ,  5F110EE28 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG26 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG45 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK15 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK35 ,  5F110HL14 ,  5F110HM18 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ01 ,  5F172ZZ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 成膜装置及び成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-364943   出願人：東京エレクトロン株式会社