特許
J-GLOBAL ID：200903091710712663

発光ダイオード及びその製造方法

発明者：
大塚 晃

大塚 晃 について

, 
黒沢 圭則

黒沢 圭則 について

, 
木村 一義

木村 一義 について


出願人/特許権者：
同和鉱業株式会社

同和鉱業株式会社 について


代理人 (1件)： 平山 一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-084820
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274454
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【課題】 再現性良く所望の発光波長が得られるようにした発光ダイオード及びその製造方法を提供する。【解決手段】 少なくともp型の第一のクラッド層12とn型の第二のクラッド層14との間に、p型のSiドープAlGaAsから成る活性層13を備えたダブルヘテロ構造の発光ダイオード10において、活性層13を構成するp型のSiドープAlGaAsに添加するSi及びAlの量の組み合わせによって、活性層から660nm乃至940nmの波長の赤外光を発光するように発光ダイオード10を構成する。
請求項（抜粋）：
p型のSiドープAlGaAsから成る活性層を有する発光ダイオードであって、上記活性層中のAlとSiの含有量の組み合わせで、660乃至940nmの間で発光波長が制御された光を発光することを特徴とする発光ダイオード。
Fターム (6件)：
5F041CA04 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041FF16
引用特許：
審査官引用 (4件)
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