特許
J-GLOBAL ID：200903091713775836

荷電粒子装置

発明者：
大井 將道

大井 將道 について


出願人/特許権者：
セイコーインスツルメンツ株式会社

セイコーインスツルメンツ株式会社 について


代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-140005
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329318
出願日： 1998年05月21日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 FIB・SEMでの集束イオンビーム及び電子ビームの照射位置のシフトを防止し、スポット径が大きく成ることを防止すること。【解決手段】 集束イオンビーム照射鏡筒先端に防磁筒を備え、電子ビーム照射鏡筒先端に防電筒を取り付ける。また、電子ビーム照射鏡筒先端に防電筒の替りに防磁筒を備える。集束イオンビーム照射鏡筒先端の防磁筒は、集束イオンビームの電子ビーム照射鏡筒からの磁界の影響を防止する。電子ビーム照射鏡筒先端の防電筒は、電子ビームの二次荷電粒子検出器からの電界の影響を防止する。電子ビーム照射鏡筒先端の防磁筒は、電子ビーム照射鏡筒先端からに磁界の乱れを防止する。
請求項（抜粋）：
荷電粒子である液体金属イオンを発生するイオン源と、前記液体金属イオンを集束し、集束イオンビームにして試料表面を照射する静電レンズと、前記集束イオンビームを走査するための走査電極と、前記集束イオンビームの前記試料への照射をオン・オフするブランカを内部に備えた非磁性の集束イオンビーム照射鏡筒と、電子ビームを発生する電子銃と、前記電子ビームを集束・走査させるヨークコイルを内部に備え、前記試料の前記集束イオンビーム照射位置に前記電子ビームを照射する高透磁率材料にて作られた電子ビーム照射鏡筒と、前記集束イオンビーム又は電子ビームの前記試料への照射により試料表面から発生する2次荷電粒子を検出する2次荷電粒子検出器と、2次荷電粒子検出器が検出した2次荷電粒子の強度に基づいて前記試料の表面の画像を表示する画像表示装置と、前記電子ビーム照射鏡筒からの磁界を実質的に前記集束イオンビームの光軸の軌跡に影響を与えないために前記集束イオンビーム照射鏡筒の先端に取り付けられた高透磁率材料よりなる防磁筒よりなることを特徴とする荷電粒子装置。
IPC (4件)：
H01J 37/09 ,  H01J 37/28 ,  H01J 37/305 ,  H01L 21/66
FI (4件)：
H01J 37/09 ,  H01J 37/28 B ,  H01J 37/305 A ,  H01L 21/66 J
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 特開平4-076437
  • 特開平4-076437
  • オージェ電子分光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-221621   出願人：日本電子株式会社
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