化学気相成長法によって堆積されるSIOC層のK値を減少させる方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-310275
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198366
出願日： 2001年10月05日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】基板を処理する方法。【解決手段】本方法は、珪素、酸素、及び炭素を含む誘電層を、化学気相成長法によって基板の上に堆積すること、ここで誘電層は原子量で少なくとも1%の炭素含有量及び約3よりも小さい誘電率を有すること、珪素炭素含有層を誘電層の上に堆積することを備えている。3つ以上のメチル基を有する有機珪素化合物の反応によって堆積された誘電層の誘電率は、比較的に不活性のガスを含むプラズマの中でアルキルシランを反応させ、非晶質の水素化されたシリコンカーバイド層を更に堆積することによって顕著に減少する。

請求項（抜粋）：

基板を処理する方法であって、珪素と、酸素と、炭素とを有し、原子量で少なくとも1%の炭素含有量及び約3よりも小さい誘電率を有する誘電層を、化学気相堆積により基板上に堆積するステップと、珪素と炭素を含有する層を、誘電層の上に堆積するステップとを有する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 , C23C 16/40 , C23C 16/42 , H01L 21/768

FI (6件)：

H01L 21/316 X , C23C 16/40 , C23C 16/42 , H01L 21/90 K , H01L 21/90 P , H01L 21/90 A

Fターム (71件)：

4K030AA04 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA14 , 4K030AA24 , 4K030BA35 , 4K030BA37 , 4K030BB13 , 4K030FA03 , 4K030LA01 , 4K030LA15 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ16 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ60 , 5F033QQ65 , 5F033QQ74 , 5F033QQ92 , 5F033QQ94 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS03 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033WW00 , 5F033WW04 , 5F033WW07 , 5F033WW09 , 5F033XX01 , 5F033XX24 , 5F033XX28 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BG02 , 5F058BG03 , 5F058BG04 , 5F058BH02

引用特許：

審査官引用 (2件)

低誘電率を有する水素化オキシ炭化珪素フィルムの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-150323 出願人：ダウコーニングコーポレーシヨン
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-339303 出願人：セイコーエプソン株式会社

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