特許
J-GLOBAL ID：200903005413542364
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-339303
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074352
出願日： 1997年11月25日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 従来のBPSG膜を用いた層間絶縁膜に比べて低温での成膜が可能であり、平坦性に優れ、かつ信頼性の高いコンタクト構造の形成が可能な、半導体基板上の層間絶縁膜を含む半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 層間絶縁膜I1を形成する工程は、少なくとも以下の工程(a)〜(c)を含む。(a)水素を含むシリコン化合物と過酸化水素とを化学気相成長法によって反応させて第1のシリコン酸化膜22を形成する工程、(b)シリコン化合物、酸素および酸素を含む化合物の少なくとも1種、および不純物を含む化合物を化学気相成長法によって反応させて多孔性の第2のシリコン酸化膜24を形成する工程、および(c)600〜850°Cの温度でアニール処理を行い、第1および第2のシリコン酸化膜を緻密化する工程。第1のシリコン酸化膜22は、BPSG膜に比べて低い温度で成膜され、それ自体で優れた自己平坦化特性を有する。
請求項（抜粋）：
素子を含む半導体基板、前記半導体基板の上に形成された層間絶縁膜、前記層間絶縁膜に形成されたスルーホール、前記層間絶縁膜および前記スルーホールの表面に形成されたバリア層、および前記バリア層の上に形成された導電膜を含み、前記層間絶縁膜は、シリコン化合物と過酸化水素との重縮合反応によって形成された第1のシリコン酸化膜、および前記第1のシリコン酸化膜の上に形成され、不純物を含有する第2のシリコン酸化膜、を含む半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/316
, H01L 29/78
H01L 21/90 K
, H01L 21/316 X
, H01L 29/78 301 X
