特許
J-GLOBAL ID：200903091723914494

完全密着型イメージセンサおよびその製造方法

発明者：
奥村 展

奥村 展 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-236279
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084105
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】 従来の完全密着型イメージセンサは長期信頼性に欠けるという問題点があった。【解決手段】 受光素子アレイ12を持つ半導体イメージセンサ素子11は、複数の光ファイバを整列して形成した光ファイバアレイ15を2枚のガラス基板の間に挟んで融着した構造の光ガイドである光ファイバアレイプレート14の一面側に応力緩和層16を介して、受光素子アレイ12が光ファイバアレイ15に対向するように配置されている。応力緩和層16はエラストマー、ゲル、ゾル等の粘弾性体であり、シリコーン化合物を主成分とする透過性のシリコーン系接着剤を硬化させたものである。
請求項（抜粋）：
複数個の受光素子アレイを有する半導体イメージセンサ素子と、該受光素子アレイと読み取るべき原稿との間に設けられ一方の面から入射した光を他方の面に導く光ガイドとを備え、該光ガイドの一方の面に密着して置かれた該原稿の光学的な画像情報を、前記光ガイドの他方の面に導いて前記受光素子アレイの受光面に入射する完全密着型イメージセンサにおいて、前記半導体イメージセンサ素子と前記光ガイドとの間に応力緩和層が配されていることを特徴とする完全密着型イメージセンサ。
IPC (4件)：
H01L 27/146 ,  G06T 1/00 ,  H04N 1/028 ,  H04N 1/19
FI (4件)：
H01L 27/14 C ,  H04N 1/028 Z ,  G06F 15/64 320 G ,  H04N 1/04 102
引用特許：
審査官引用 (6件)
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