特許

J-GLOBAL ID：200903091730785098

環状単磁区構造微小磁性体およびその製造方法又はそれを用いた磁気記録素子

発明者： 秋永 広幸 ,  小野 寛太 ,  尾嶋 正治 ,  谷内 敏之
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-160325
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363350
出願日： 2003年06月05日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】ナノスケールの微小磁性体において、磁化の向きを制御可能にするとともに、書き換え及び書き込み回数の制限のない微小磁性体又はこの微小磁性体を用いたMRAMの提供。【解決手段】平板状の強磁性体からなり、その平面部形状は、線対称軸を有するとともに該線対称軸と垂直な方向に対しては非対称であって、平行外部磁界の消滅時に環状単磁区構造を示すことを特徴とする、微小磁性体及びその微小磁性体を用いたMRAM又はそれらの製造方法。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

平板状の強磁性体からなり、その平面部形状は、線対称軸を有するとともに該線対称軸と垂直な方向に対しては非対称であって、平行外部磁界の消滅時に環状単磁区構造を示すことを特徴とする、微小磁性体。

IPC (3件)：

H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08

FI (3件)：

H01L27/10 447 ,  G11C11/15 110 ,  H01L43/08 Z

Fターム (6件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA09 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気記憶素子、磁気メモリ、磁気記録方法、磁気記憶素子の製造方法、及び磁気メモリの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-150456   出願人：北海道大学長
• 一次元型磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-073289   出願人：日本電気株式会社