特許

J-GLOBAL ID：200903091734175332

半導体装置及びその製造方法

発明者： 塩谷 喜美 ,  小竹 勇一郎 ,  猪鹿倉 博志 ,  鈴木 智美 ,  前田 和夫
出願人/特許権者： キヤノン販売株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-197279
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252228
出願日： 2001年06月28日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】 銅配線との密着性がよい低誘電率を有する絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 成膜ガスをプラズマ励起して反応させ、被成膜基板21上に低誘電率を有する絶縁膜34を形成する半導体装置の製造方法において、第1のガス圧力の成膜ガスをプラズマ励起して反応させ、被成膜基板21上に絶縁膜34を構成する低圧絶縁膜34aを形成する工程と、第1のガス圧力よりも高い第2のガス圧力の成膜ガスをプラズマ励起して反応させ、低圧絶縁膜34a上に絶縁膜34を構成する高圧絶縁膜34bを形成する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

成膜ガスをプラズマ化して反応させ、基板上に低誘電率を有する絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、第1のガス圧力の前記成膜ガスをプラズマ化して反応させ、前記基板上に前記絶縁膜を構成する低圧絶縁膜を形成する工程と、前記第1のガス圧力よりも高い第2のガス圧力の前記成膜ガスをプラズマ化して反応させ、前記低圧絶縁膜上に前記絶縁膜を構成する高圧絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 M ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/90 J ,  H01L 21/88 M

Fターム (50件)：

4K030AA01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030AA18 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030JA09 ,  4K030JA18 ,  4K030LA02 ,  5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR08 ,  5F033SS01 ,  5F033SS03 ,  5F033SS15 ,  5F033TT01 ,  5F033WW00 ,  5F033WW05 ,  5F033WW10 ,  5F033XX14 ,  5F033XX24 ,  5F058BA10 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF26 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF31 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-144878   出願人：日本電気株式会社