特許
J-GLOBAL ID：200903042998241634
絶縁膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-144878
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335322
出願日： 1997年06月03日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 フッ素含有絶縁膜のフッ素含有量を制御する手法を提供する。絶縁膜堆積中にフッ素濃度を局所的に変化させることで、膜剥がれを防止する。またフッ素濃度を最適化させることにより吸湿性を低下させる。【解決手段】 フッ素含有絶縁膜中のフッ素含有量を制御するために、原料ガスの解離を利用する。複数のフッ素原子が結合した化合物を原料に用いて、プラズマ励起化学的気相成長により、絶縁膜を堆積する際に、気相成長時の圧力を制御し、プラズマ中の原料ガスの解離度を制御する。解離が進行するにつれて、フッ素含有量の少ないラジカルがプラズマ中で支配的なラジカルとなることを利用して、絶縁膜中のフッ素含有量を制御する。これにより、フッ素含有量を低下させ、もしくは該絶縁膜が他の膜と接する面のフッ素含有量を局所的に低下させて、吸湿性を低減させ、また剥がれ等を防止する。
請求項（抜粋）：
水素あるいは水素原子を含まない原料ガスを減圧下でプラズマ解離することでフッ素添加絶縁膜の堆積を行うことを特徴とする絶縁膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/314 A
, H01L 21/31 C
