特許

J-GLOBAL ID：200903091805539144

不可逆特性を持つ磁気システムおよびこの種システムを作成し修理し操作する方法

発明者： カールス-ミッチェル、エイチ.レンセン ,  デルク、ジェイ.アデレローフ ,  ジェラルデュス、エイチ.ジェイ.ソマース ,  ヨアネス、ビー.エイ.ディー.バン、ゾン ,  アントニウス、イー.ティー.クイパー
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-505211
公開番号（公開出願番号）：特表2003-502876
出願日： 2000年06月16日
公開日（公表日）： 2003年01月21日
要約：

【要約】新規な磁気データ記憶システム及び磁気特性感知システムが開示される。本システムは外部磁界内において不可逆である磁化方向を持つ。この種システムの製造方法、リセット又は変更又は修理の方法、及び、操作方法が開示される。本システムは平衡構成された1組の磁気デバイスを含み得る。前記デバイスの各々は、実質的に、それらの間に少なくとも1つの非磁性材料製分離層を備えた少なくとも1つの第1強磁性層および第2強磁性層を有し、前記構造は少なくとも1つの磁気抵抗効果を有する。前記デバイスの少なくとも1つの第1強磁性層の磁化方向は約35kA/m以上の外部磁気内において不可逆である。

請求項（抜粋）：

磁気特性感知システムであって、前記システムが平衡構成された1組の磁気デバイスを含み、実質的に前記デバイスの各々がそれらの間に少なくとも1つの非磁性材料製分離層を備えた少なくとも1つの第1強磁性層および1つの第2強磁性層を含む層構造を有し、前記構造が少なくとも磁気抵抗効果を有し、ここに、約35kA/m以上の値を持つ外部磁界内において前記デバイスのなかの少なくとも1つのデバイスの前記第1強磁性層の前記磁化方向が不可逆である感知システム。

IPC (9件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12

FI (11件)：

H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 P ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/14 E ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R ,  H01L 27/10 447

Fターム (9件)：

2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA04 ,  5D034BB02 ,  5E049AA01 ,  5E049AA07 ,  5E049BA16 ,  5F083FZ10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気抵抗センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-039319   出願人：三菱電機株式会社
• 磁界センサ、そんなセンサを具えた装置及びそんなセンサを製造する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-526837   出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
• 磁界センサー及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-283070   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 磁界を感知する磁気抵抗センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-085378   出願人：富士通株式会社