特許
J-GLOBAL ID：200903091817948929
薄膜厚さ測定方法及びこれを適用した装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-301884
公開番号（公開出願番号）：特開2001-116519
出願日： 2000年10月02日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 ウェーハの表面に形成された上部膜の厚さをリアルタイムで測定できる薄膜厚さ測定方法及びこれを適用した装置を提供する。【解決手段】 特定構造のセルを有するサンプルウェーハ上の一つのセルに光を照射して反射された光から輝度値を得る第1段階と、前記セルに隣接したオキシドサイトの薄膜厚さを測定する第2段階と、前記第1段階と第2段階を反復遂行して前記ウェーハに存在するセルから前記輝度値と各セルに隣接したオキシドサイトの薄膜厚さ値を得る第3段階と、前記第3段階から得られた輝度値と厚さ値により輝度値から厚さ値を得る厚さ算出式を求める第4段階と、製造工程上にあるウェーハ上のセルから反射された光の輝度を用いて前記第5段階から得られた厚さ算出式からセルの上部膜厚さを得る第5段階とを含む。
請求項（抜粋）：
特定構造のセルを有するサンプルウェーハ上の一つのセルに光を照射して反射された光から輝度値を得る第1段階と、前記セルに隣接したオキシドサイトの薄膜厚さを測定する第2段階と、前記第1段階と前記第2段階を反復遂行して前記ウェーハに存在するセルから前記輝度値と各セルに隣接したオキシドサイトの薄膜厚さ値を得る第3段階と、前記第3段階から得られた輝度値と厚さ値により輝度値から厚さ値を得る厚さ算出式を求める第4段階と、製造工程上にあるウェーハ上のセルから反射された光の輝度を用いて前記第4段階から得られた厚さ算出式からセルの上部膜厚さを得る第5段階とを含むことを特徴とする薄膜厚さ測定方法。
引用特許：
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