特許
J-GLOBAL ID：200903038955976390

パターン形成方法

発明者：
早崎 圭

早崎 圭 について

, 
伊藤 信一

伊藤 信一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-089735
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168019
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】特異的な条件で形成されたチップが存在しても、平均的な寸法のずれを補正する。【解決手段】現像ユニットにウェハが搬送されると、ノッチの位置を検出し、ウェハの回転方向の位置調整を行う(ステップS1,2)。その後、特定のチップのモニタ領域にモニタヘッドが移動し、パターンマッチングにより位置を検出し、モニタ領域の反射光強度を取得する。複数のチップに対して同様に反射光強度を取得し、得られた反射光強度の最頻値から現像時間を制御するためにモニタするチップを決定する(ステップS4〜6)。そして、現像を開始し、モニタヘッドはチップの位置に移動し、モニタ領域の反射光強度変化を測定する(ステップS7,8)。モニタ領域の膜抜け時間を計測し、適正な現像時間を算出し、算出した現像時間で現像を停止させる(ステップS9,10)。
請求項（抜粋）：
被処理基板上のレジストの複数のチップ領域にそれぞれデバイスパターンを露光し、加熱の後、現像によりデバイスパターンを形成するパターン形成方法において、前記デバイスパターンの露光時に、潜像モニタ領域及び現像モニタ領域をデバイスパターンとともに前記被処理基板上のレジストの各チップ領域に露光する工程と、前記露光工程後の加熱工程と現像工程の間で、複数のチップ領域の各潜像モニタ領域に対して特定波長の光を照射し、該潜像モニタ領域の反射光強度の測定を行う工程と、測定結果に基づいて前記被処理基板内で代表的な条件で処理されているチップ領域を抽出する工程と、前記デバイスパターンの現像中に、抽出されたチップ領域内に配置された前記現像モニタ領域に対して特定波長の光を照射し、該現像モニタ領域からの反射光強度変化に応じて現像を停止することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/26 501 ,  G03F 7/30 501
FI (3件)：
G03F 7/26 501 ,  G03F 7/30 501 ,  H01L 21/30 569 G
Fターム (6件)：
2H096AA25 ,  2H096EA30 ,  2H096FA01 ,  2H096GA60 ,  5F046LA15 ,  5F046LA18
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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