特許

J-GLOBAL ID：200903091823760230

強誘電体薄膜素子及びその製造方法

発明者： 渡部 浩司 ,  田中 均洋 ,  川角 浩一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-328376
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186106
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】 大きな自発分極値と良好な疲労特性を有する、酸化ルテニウム薄膜上にジルコン酸チタン酸鉛薄膜が成膜されて成る強誘電体薄膜素子及びその製造方法を提供する。【構成】 先ず、基板上に、下部電極となる酸化ルテニウム薄膜を、ゾル-ゲル法によって、酸化ルテニウム薄膜のグレインサイズが90〜160nmとなるように成膜する。次に、この酸化ルテニウム薄膜上に、強誘電体薄膜であるジルコン酸チタン酸鉛薄膜を、ゾル-ゲル法によって成膜する。次に、このジルコン酸チタン酸鉛薄膜上に、上部電極となる白金薄膜を成膜する。

請求項（抜粋）：

酸化ルテニウム薄膜上にジルコン酸チタン酸鉛薄膜が成膜されて成る強誘電体薄膜素子において、上記酸化ルテニウム薄膜のグレインサイズが90〜160nmであることを特徴とする強誘電体薄膜素子。

IPC (11件)：

H01L 21/316 ,  H01B 3/00 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 41/187 ,  C23C 18/12

FI (4件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/18 101 D

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 強誘電性素子のための多層電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-086509   出願人：シャープ株式会社