特許
J-GLOBAL ID:200903091833063260

フリップチップ型半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 竹村 壽
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-367108
公開番号(公開出願番号):特開2000-195882
出願日: 1998年12月24日
公開日(公表日): 2000年07月14日
要約:
【要約】【課題】 従来に比べて短時間で樹脂充填が実現でき、且つ空気の巻き込みや樹脂から発生するガスなどによるボイド不良が低減できるフリップチップ型半導体装置の製造方法及びその製造装置を提供する。【解決手段】 フリップチップ型半導体装置の半導体素子11と回路基板13との間隙及びその外周への樹脂充填方法である。液状樹脂15を半導体素子外周に塗布し、外周の1部は排気孔10として液状樹脂を塗布せずにおいて真空チャンバへセットし、真空チャンバ内を減圧直後に排気孔を強制的にスキージで閉鎖した後、真空破壊を実施して半導体素子内外の気圧差を利用して樹脂充填させる。従来技術に比べて減圧直後に排気孔を強制的に閉鎖するので従来技術に比べて極めて短時間でフリップチップ型半導体装置の樹脂充填が実現でき、また空気の巻き込みや樹脂から発生するガスなどによるボイド不良も低減できる。
請求項(抜粋):
主面に形成された接続電極にボール状接続端子が設けられた半導体素子をこのボール状接続端子を介して接続された回路基板を塗布装置に搭載する工程と、前記回路基板上の前記半導体素子外周の少なくとも一部を残して液状樹脂を塗布する工程と、前記半導体素子と前記回路基板とを減圧下に置いて、前記半導体素子と前記回路基板との間隙の空気を排除すると共に残された未塗布部を強制的に塞ぎ、前記半導体素子の全外周を前記液状樹脂で充填させる工程と、前記液状樹脂が充填された前記半導体素子と前記回路基板とを大気圧に戻して前記半導体素子と前記回路基板との間隙の未充填部分の樹脂充填を完了させる工程とを備えていることを特徴とするフリップチップ型半導体装置の製造方法。
IPC (3件):
H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12
FI (3件):
H01L 21/56 E ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 L
Fターム (7件):
5F044KK01 ,  5F044RR19 ,  5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA05 ,  5F061DA08 ,  5F061DE06
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 樹脂封止方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-110720   出願人:松下電器産業株式会社
  • 半導体装置の製法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-066501   出願人:日東電工株式会社

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