特許
J-GLOBAL ID：200903091864763945
レチクル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-016922
公開番号（公開出願番号）：特開平10-213896
出願日： 1997年01月30日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：
【要約】【課題】 合わせ精度測定用マークに必要なスクライブライン領域を小さくするようにしたレチクルを提供する。【解決手段】 ウエハの第2層をパターンニングする第2レチクルのスクライブライン領域に、合わせ精度測定用マークとして設けた第2正方形マーク30は、その中心位置が、ウエハのチップ領域に形成された基準位置に対し、第1層のパターニングに使用した第1レチクルに設けた第1正方形マーク28の中心位置と同じである。しかも、ウエハ上に今後形成する第3及び第4の層のパターニングにそれぞれ使用する第3及び第4レチクルに設けた第3及び第4正方形マーク36及び38の中心位置と同じである。第1から第4正方形マークの形状は、全て相似である。これにより、レチクルのスクライブライン上の合わせ精度測定用マーク形成領域を、従来に比べ、大幅に小さくすることができる。
請求項（抜粋）：
フォトリソグラフィによりウエハ上の一の層をパターニングする際に使用するレチクルであって、スクライブライン領域に合わせ精度測定用マークを有し、(1)レチクルの一のチップ領域の中心と、一の層のパターニングの前に行った一の層の下の層のパターニングに使用した別のレチクルの一のチップ領域の中心とを合致させて、一の層用のレチクルと、別のレチクルとを重ねた時、及び、(2)レチクルの一のチップ領域の中心と、一の層の下の層の更に下に形成した別の層のパターニングに使用した、更に別のレチクルの一のチップ領域の中心とを合致させて、一の層用のレチクルと、更に別のレチクルとを重ねた時、及び/又は、一の層の上に今後形成する別の層のパターニングに使用する、更に別のレチクルの一のチップ領域の中心とを合致させて、一の層用のレチクルと、更に別のレチクルとを重ねた時、一の層用のレチクルの合わせ精度測定用マークの中心が、別のレチクル及び更に別のレチクルの合わせ精度測定用マークの中心とそれぞれ一致し、かつ、一の層用のレチクルの合わせ精度測定用マークの形状が、別のレチクル及び更に別のレチクルの合わせ精度測定用マークの形状とそれぞれ相似であることを特徴とするレチクル。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G03F 1/08 N
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 502 V
, H01L 21/30 515 F
