書換え可能な不揮発性メモリ装置とその消去ロック方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-343513
公開番号（公開出願番号）：特開平9-180482
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】ページ単位の消去ロックを可能とする不揮発性メモリ装置を提供する。【解決手段】ページ単位でメモリトランジスタを消去してプログラムすることのできる書換え可能な不揮発性メモリ装置において、1ワードラインごとに設けられた消去およびプログラム可能なロックセル11と、消去ロックを設定する場合のプログラムでロックセルのビットラインへプログラム防止電圧を提供することにより該ロックセルを第1状態とし、消去ロックを設定しない場合のプログラムでロックセルのビットラインへ接地電圧を提供することにより該ロックセルを第2状態とする制御手段13,16と、備える。ロックセルが第1状態であると該ロックセルのワードラインに接続したメモリトランジスタの消去およびプログラムが抑止され、ロックセルが第2状態であると該ロックセルのワードラインに接続したメモリトランジスタの消去およびプログラムが許容される。

請求項（抜粋）：

ページ単位でメモリトランジスタを消去してプログラムすることのできる書換え可能な不揮発性メモリ装置において、1ワードラインごとに設けられた消去およびプログラム可能なロックセルと、消去ロックを設定する場合のプログラムでロックセルのビットラインへ第1電圧を提供することにより該ロックセルを第1状態とし、消去ロックを設定しない場合のプログラムでロックセルのビットラインへ第2電圧を提供することにより該ロックセルを第2状態とする制御手段と、備えたことを特徴とする不揮発性メモリ装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭61-249156
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-003143 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
特開昭61-249156

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