固体撮像装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-014519
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206437
出願日： 1992年01月30日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：

【要約】【目的】低照度において高い転送効率と、良好なスミア特性を示す固体撮像装置を提供する。【構成】シリコン基板内にフォトダイオード部及び垂直CCD部を形成し、従来と同様の構造をもつポリシリコン電極を形成する。ポリシリコン酸化膜10上に減圧CVD法でシリコン酸化膜系の絶縁膜15を堆積する。マスク合わせ、エッチング工程を行い、コンタクト部14を形成する。コンタクト窓14は、固体撮像装置の4相駆動動作が可能なように、各々1層目のポリシリコン電極、2層目のポリシリコン電極上の所望の領域に形成する。CVD法により例えばタングステンシリサイド膜17を約200nm成長する。ポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜からなる配線材料を同時にエッチング除去し、所望の配線パターンに加工する。

請求項（抜粋）：

半導体基板中に形成されたp型の半導体領域と、前記半導体領域と電気的に独立して作り込まれたn型領域からなる光電変換部と、前記光電変換部で生成された信号電荷を受け取り順次転送を行うn型領域からなる光電変換要素の複数個がマトリックス状に配された電極と、前記電極が絶縁膜の所望の領域に開口したコンタクト窓を介して、シリコン膜と高融点金属もしくは、高融点金属シリサイドからなる2層以上の配線金属とに接続することを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/148 , H01L 21/3205 , H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 B , H01L 21/88 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-133963
特開平3-009524
特開平3-095968

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