特許
J-GLOBAL ID：200903091883460570
GaAs単結晶ウェハ及びその製造方法並びに選別方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-311634
公開番号（公開出願番号）：特開平7-165499
出願日： 1993年12月13日
公開日（公表日）： 1995年06月27日
要約：
【要約】【目的】Ga酸化物を容易に除去できる結晶表面をもつウェハのみを選別し、サーマルクリーニングを安定かつ容易にできるようにして、高品質なエピタキシャル層を成長させることを可能とする。【構成】GaAs単結晶ウェハ表面の光電子スペクトルをX線光電子分光法で測定する。その測定条件は、X線源にAlKαを使用し、試料表面に対するX線の入射角を20°、試料表面に対するアナライザーインプットレンズの角度を75°とする。測定で得られる光電子スペクトルが、次の2条件を満たすGaAs単結晶ウェハを選別する。その2条件とは、(Ga-O結合ピーク高さ)/(Ga-As結合ピーク高さ)≦0.05で、かつ(As-As結合ピーク高さ)/(As-As結合ピーク高さ)≧0.5である。
請求項（抜粋）：
光電子スペクトルが次の2条件を満たすことを特徴とするGaAs単結晶ウェハ。?@Ga3dスペクトルにおいて(Ga-O結合のピーク高さ)/(Ga-As結合のピーク高さ)≦0.06?AAs3dスペクトルにおいて(As-As結合のピーク高さ)/(As-Ga結合のピーク高さ)≧0.47
IPC (3件)：
C30B 29/42
, C30B 33/10
, G01N 23/227
