特許
J-GLOBAL ID:200903091888741829

ダイボンド材および半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 船橋 國則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-216872
公開番号(公開出願番号):特開平9-059589
出願日: 1995年08月25日
公開日(公表日): 1997年03月04日
要約:
【要約】【課題】 電子機器への実装に際して、耐湿性の高いダイボンドを提供するとともに、前処理を要せず、かつはんだ実装の加熱に耐え、しかもはんだ実装後の耐湿信頼性に富んだ半導体装置の提供が望まれている。【解決手段】 シリコーンジアミンを全アミン成分の5〜50モル%含むシリコーン変性ポリイミド樹脂と、エポキシ化合物と、エポキシ化合物と反応する活性水素を有する化合物との3成分系の樹脂組成物からなるダイボンド材。このダイボンド材を用いて半導体素子をダイパッド上に固定してなる半導体装置。
請求項(抜粋):
下記の一般式(1)で表されるシリコーンジアミンを全アミン成分の5〜50モル%含むシリコーン変性ポリイミド樹脂と、【化1】エポキシ化合物と、該エポキシ化合物と反応する活性水素を有する化合物と、の3成分系の樹脂組成物からなることを特徴とするダイボンド材。
IPC (5件):
C09J179/08 JGE ,  C08G 81/02 NUV ,  C09J163/00 JFP ,  C09J183/08 JGH ,  H01L 21/52
FI (5件):
C09J179/08 JGE ,  C08G 81/02 NUV ,  C09J163/00 JFP ,  C09J183/08 JGH ,  H01L 21/52 E
引用特許:
審査官引用 (3件)

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