特許

J-GLOBAL ID：200903091924078996

集積回路コンデンサおよびこれを製造する方法

発明者： アズマ, マサミチ ,  パズ デ アラウジョ, カルロス エイ. ,  スコット, マイケル シー. ,  クチアロ, ジョセフ ディー.
出願人/特許権者： サイメトリックス コーポレイション ,  松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-504428
公開番号（公開出願番号）：特表平10-506228
出願日： 1995年07月10日
公開日（公表日）： 1998年06月16日
要約：

【要約】メトキシエタノールに溶解した純度が99.999%より高いBSTのストック溶液でキシレン交換(P44)を行い、マグネシウム2-エチルヘキサノエートなどのドーパント金属のカルボキシレートを添加して、前駆体を形成する。前駆体を第1電極(14)上にスピンし(P45)、400°Cで2分間乾燥させ(P46)、次に750°C〜800°Cで約1時間アニールして(P47)、正確にドープされたBSTの層(15)を形成する。第2電極(16)を堆積し(P48)、パターニングし(P49)、750°C〜800°Cで約30分間アニールする(P50)。ドーパントが約5%のモル濃度のマグネシウムの場合は、優れたリーク電流が得られる。Mg、Nb、Y、Bi、およびSnなどの他のドーパントでは、好適なドーパント範囲は0.2%〜0.3%のモル濃度である。マグネシウムドープ材料は、アンドープBSTコンデンサ(20)の電極(24、28)とBST誘電層(26)との間のバッファ層(25、27)として用いられる。

請求項（抜粋）：

正確にドープされたチタン酸バリウムストロンチウム層(15、26、37)を含む集積回路(19、29、39)を製造する方法であって、 バリウムとストロンチウムとチタンとドーパントとを含有する液状前駆体を提供するステップと、 該前駆体を基板(18)に塗布するステップ(P45)と、 該基板(18)上にドープチタン酸バリウムストロンチウム層(15)を形成するために、該前駆体を処理するステップ(P46〜P47)と、 を包含する方法。

IPC (3件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 21/316 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 微小電子回路構造とその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-060932   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド