特許
J-GLOBAL ID：200903091951859185
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-192049
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026696
出願日： 1997年07月03日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 ポリシリコンの凹凸を低減し、絶縁耐圧の高いキャパシタを形成する半導体装置を提供すること。【解決手段】 半導体装置は、下部電極としての主たる結晶方位が(111)に配向したポリシリコン層と、このポリシリコン層から100%O2 で急速加熱により得られるSiO2 層と、このSiO2 層上にも形成された上部電極としてのポリシリコン層とを有する。
請求項（抜粋）：
下部電極としての主たる結晶方位が(111)に配向したポリシリコン層と、前記ポリシリコン層から酸素雰囲気100%で急速加熱により得られるSiO2 層と、該SiO2 層上に形成された上部電極としてのポリシリコン層とを有する半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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