特許

J-GLOBAL ID：200903091971819287

フッ素含有シリコン酸化膜の製造方法

発明者： 原田 勝可 ,  服部 覚
出願人/特許権者： 東亞合成株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-044793
公開番号（公開出願番号）：特開平8-218170
出願日： 1995年02月09日
公開日（公表日）： 1996年08月27日
要約：

【要約】【構成】 化学気相成長法により基板上にフッ素含有シリコン酸化膜を製造する方法において、トリアルコキシシランおよび酸化性ガスからなる原料ガスに、フルオロアルコキシシランを添加せしめて用いることを特徴とするフッ素含有シリコン酸化膜の製造方法。【効果】 成膜速度が大きいので高い生産性で含フッ素シリコン酸化膜を基材上に得ることができる。また得られた膜は、フッ素含有量が多く、低誘電率の良質なフッ素含有シリコン酸化膜であり、さらに、低温形成にもかかわらず含水水分量を大幅に減少させることができる。

請求項（抜粋）：

化学気相成長法により基板上にフッ素含有シリコン酸化膜を製造する方法において、トリアルコキシシランおよび酸化性ガスからなる原料ガスに、フルオロアルコキシシランを添加せしめて用いることを特徴とするフッ素含有シリコン酸化膜の製造方法。

IPC (5件)：

C23C 16/40 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/48 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

C23C 16/40 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/48 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/316 X

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-164831   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-164831   出願人：株式会社東芝