特許
J-GLOBAL ID:200903091978673210

電力変換装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 外川 英明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-177680
公開番号(公開出願番号):特開平10-028377
出願日: 1996年07月08日
公開日(公表日): 1998年01月27日
要約:
【要約】【課題】半導体素子に付加されるスナバ回路の低インダクタンス化を図るヒートシンクを有する電力変換装置を提供すること。【解決手段】 ヒートシンク1には、点線で示す部分に1つのGTO3とスナバダイオード4が配置される。一方の口出し5から入った冷却水は、流路2を通り、GTO3とスナバダイオード4を冷却する。GTO3の取付部分であるφDGTO と、スナバダイオード4の取付け部分であるφDDSは、往路6と復路7とが交互に構成され、各半導体素子の取付中心付近に渦巻の中心があるように形成される。さらに、GTO3とスナバダイオード4の中心間距離はできるだけ近接する配置とし、所定の絶縁を満足する最小値で設計する。
請求項(抜粋):
半導体素子と、内部に冷媒が流れる渦巻状の流路を有し、前記半導体素子を冷却するヒートシンクとを有する電力変換装置において、複数の半導体素子と、前記冷媒を供給する給水流路と前記冷媒を排出する排水流路との間に、渦巻状の流路を複数配置した流路を有し、前記複数の半導体素子を冷却するヒートシンクとを具備したことを特徴とする電力変換装置。
IPC (4件):
H02M 7/04 ,  H01L 23/473 ,  H02M 1/06 ,  H05K 7/20
FI (5件):
H02M 7/04 C ,  H02M 7/04 D ,  H02M 1/06 D ,  H05K 7/20 N ,  H01L 23/46 Z
引用特許:
審査官引用 (9件)
  • 特開昭63-241956
  • 特開昭61-102799
  • 基板の冷却装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-195330   出願人:大日本スクリーン製造株式会社
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