特許

J-GLOBAL ID：200903091982232229

レーザー加工方法およびレーザー加工装置

発明者： 重松 孝一 ,  大宮 直樹 ,  吉川 敏行
出願人/特許権者： 株式会社ディスコ
代理人 (2件)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-190103
公開番号（公開出願番号）：特開2005-021940
出願日： 2003年07月02日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：

【課題】半導体基板に形成されたストリート上のLow-k膜およびストリート上に部分的に配設されたテスト用の金属パターンを円滑に除去することができるレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供する。【解決手段】半導体基板20の表面に低誘電率絶縁体被膜213が積層されているとともに格子状に形成されたストリート211によって複数の回路が形成され、ストリート211にテスト用の金属パターン214が部分的に配設されている半導体ウエーハ20のレーザー加工方法であって、金属パターン214が位置する領域と低誘電率絶縁体被膜213の領域に、それぞれ異なる加工条件でレーザー光線を照射して金属パターン214および低誘電率絶縁体被膜213を除去するレーザー加工工程を含む。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に低誘電率絶縁体被膜が積層されているとともに格子状に形成されたストリートによって複数の回路が形成され、該ストリートにテスト用の金属パターンが部分的に配設されている半導体ウエーハのレーザー加工方法であって、 該金属パターンが位置する領域と該低誘電率絶縁体被膜の領域に、それぞれ異なる加工条件でレーザー光線を照射して該金属パターンおよび該低誘電率絶縁体被膜を除去するレーザー加工工程を含む、 ことを特徴とするレーザー加工方法。

IPC (3件)：

B23K26/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/68

FI (3件)：

B23K26/00 C ,  H01L21/68 F ,  H01L21/78 L

Fターム (17件)：

4E068AC01 ,  4E068CA08 ,  4E068CB02 ,  4E068CB09 ,  4E068CC02 ,  4E068CC06 ,  4E068DA11 ,  5F031CA02 ,  5F031HA13 ,  5F031HA57 ,  5F031JA04 ,  5F031JA28 ,  5F031JA39 ,  5F031KA06 ,  5F031LA09 ,  5F031LA12 ,  5F031MA34

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体ウェハを個々分割するための装置および方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-319928   出願人：クーリックアンドソファインベストメンツ,インコーポレイテッド
• 半導体ウェーハのダイシング方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-011850   出願人：住友電気工業株式会社