特許
J-GLOBAL ID：200903091984243414

塗布装置、および薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
森本 隆史

森本 隆史 について

, 
辻 安紀

辻 安紀 について


出願人/特許権者：
コニカミノルタホールディングス株式会社

コニカミノルタホールディングス株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-018863
公開番号（公開出願番号）：特開2009-182090
出願日： 2008年01月30日
公開日（公表日）： 2009年08月13日
要約：
【課題】大きな結晶の半導体層を基板の上に形成する塗布装置、および特性の優れた薄膜トランジスタを基板の上に形成する薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】半導体材料を溶解または分散した半導体溶液の液滴を吐出する複数のノズルを備えたヘッドを移動させて該液滴を滴下し、基板の上に順次半導体溶液を塗布する塗布装置において、ヘッドは、ヘッドの基板と対向する面の、ノズル位置からヘッドの移動方向と反対側に離間した位置に、ヘッドと基板との間の空間を加熱する空間加熱手段を有することを特徴とする塗布装置。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体材料を溶解または分散した半導体溶液の液滴を吐出する複数のノズルを備えたヘッドを移動させて該液滴を滴下し、基板の上に順次半導体溶液を塗布する塗布装置において、 前記ヘッドは、 前記ヘッドの前記基板と対向する面の、前記ノズルの位置から前記ヘッドの移動方向と反対側に離間した位置に、前記ヘッドと前記基板との間の空間を加熱する空間加熱手段を有することを特徴とする塗布装置。
IPC (7件)：
H01L 21/368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  B05C 5/00 ,  B05C 9/14
FI (7件)：
H01L21/368 L ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J ,  B05C5/00 101 ,  B05C9/14
Fターム (58件)：
4F041AA06 ,  4F041AB01 ,  4F041BA10 ,  4F041BA48 ,  4F042AA07 ,  4F042CB26 ,  4F042DA09 ,  4F042DH00 ,  5F053AA22 ,  5F053AA49 ,  5F053BB58 ,  5F053BB60 ,  5F053DD19 ,  5F053FF01 ,  5F053HH05 ,  5F053LL10 ,  5F053RR04 ,  5F053RR05 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33
引用特許：
出願人引用 (2件)

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