特許
J-GLOBAL ID：200903092016010070
半導体素子実装用リードフレーム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-018362
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266280
出願日： 1997年01月31日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 層間結合性、耐腐食性、及びワイヤボンディングでの接続性が改善される構造の半導体素子実装用リードフレームを提供する。【解決手段】 本発明の半導体素子実装用リードフレームは、基板51上に中間めっき層のNiめっき層52、その上にPdストライクめっき層53及びPd-X合金めっき層54が順次形成された多層のめっき層からなる構造を有する。この多層構造において、Pdストライクめっき層53はNiめっき層52の表面の気孔を詰め、表面粗度を均一にして外側のPd-X合金めっき層の厚さを均一に維持させ得、層間結合性、耐腐食性、ワイヤボンディングでの接続性が改善する。
請求項（抜粋）：
半導体素子実装用リードフレームを形成している金属材の基板と、前記基坂上に形成されたNiめっき層と、前記Niめっき層上に形成されたPdストライクめっき層と、前記Pdストライクめっき層上に形成されたPdを主成分とする合金であるPd-X合金めっき層とを備えることを特徴とする半導体素子実装用リードフレーム。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/50 D
, C23C 28/02
