特許
J-GLOBAL ID:200903092021812401
パシベーション層を備えるハウジングおよびこのようなハウジングを備える触媒支持構造の製造のための方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
深見 久郎 (外5名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-577042
公開番号(公開出願番号):特表2003-531332
出願日: 2001年04月12日
公開日(公表日): 2003年10月21日
要約:
【要約】内壁(2)を備える外被チューブ(1)を含むハニカム構造(4)のためのハウジングであって、外被チューブ(1)は、接合によるハニカム構造(4)への接続を計画的に修正する(modify)ために、内壁(2)の少なくとも1つのセクション(14)でパシベーション層(3)を有する。この発明によるハニカム構造(4)およびハウジングを備える触媒支持構造の製造のための方法も示される。このようにして製造される触媒支持構造は、ハニカム構造(4)と外被チューブ(1)との間の熱応力を減じ、特に、たとえ真空中においても製造中の信頼できるはんだ付プロセスを保証する。
請求項(抜粋):
ハニカム構造(4)のためのハウジングであって、 内壁(2)を備える外被チューブ(1)を含み、 接合によるハニカム構造(4)への接続を計画的に防ぐために、外被チューブ(1)は内壁(2)の少なくとも1つのセクション(14)においてパシベーション層(3)を有することを特徴とする、ハウジング。
IPC (3件):
F01N 3/28 301
, F01N 3/28
, B01D 53/86
FI (3件):
F01N 3/28 301 W
, F01N 3/28 301 U
, B01D 53/36 B
Fターム (15件):
3G091AA02
, 3G091AB01
, 3G091BA10
, 3G091BA39
, 3G091GA06
, 3G091GB17Z
, 3G091HA27
, 3G091HA28
, 3G091HA29
, 3G091HA31
, 4D048BB02
, 4D048BB18
, 4D048CA07
, 4D048CC08
, 4D048CC10
引用特許:
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