特許

J-GLOBAL ID：200903092061437018

半導体装置及びその製造方法

発明者： 山田 茂
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-231373
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068322
出願日： 1998年08月18日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】 良好な特性を得るとともに、放熱効果の向上を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体素子1上の回路形成面に、第1の絶縁層2が形成・接着され、その上面に第1の回路パターン3が形成されている。ここで第2の絶縁層6には第1の外部電極導出用貫通穴9が形成されている。第1の回路パターン3は半導体素子1上の電極4に接続され、他端部は第1の回路パターン用外部電極5に接続されている。同様に、第1の絶縁層2上には第1の回路パターン3を挟んで第2の絶縁層6が形成され、その上面に第2の回路パターン7が形成されている。第2の回路パターン7は半導体素子1上の電極4に接続され、他端部は第2の回路パターン用外部電極8に接続されている。

請求項（抜粋）：

半導体素子上の回路面に絶縁層と回路パターンを交互に形成し多層構造としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 21/60 311 Q ,  H01L 23/12 L

Fターム (5件)：

4M105AA05 ,  4M105AA07 ,  4M105AA16 ,  4M105GG10 ,  4M105GG18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-066637   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社, 株式会社日立マイコンシステム
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-066638   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社, 株式会社日立マイコンシステム
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-169888   出願人：新光電気工業株式会社