特許
J-GLOBAL ID：200903089687903419
半導体集積回路装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-066638
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260536
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】 はんだバンプ電極の形成された配線基板のリード部を半導体チップの外部端子に電気的に接続してなるパッケージ構造を有する半導体集積回路装置において、そのリード部と外部端子との接合部およびバンプランド部とバンプ電極との接合部の両方の接合上の信頼性を向上させる。【解決手段】 半導体チップ1の主面上にエラストマ2を介してフレキシブル配線基板3を設けてなるBGA形の半導体集積回路装置において、フレキシブル配線基板3のリード部3L1 において半導体チップ1のボンディングパッド5との接合面における金メッキ層の厚さと、フレキシブル配線基板3のバンプランド部3L2 においてはんだバンプ電極3Bとの接合面における金メッキ層の厚さとを変えた。
請求項（抜粋）：
配線基板に形成された配線のリード部を半導体チップの主面上の外部端子と電気的に接続させ、かつ、前記配線基板に形成された配線のランド部をはんだバンプ電極と電気的に接続させてなる半導体集積回路装置であって、(a)前記リード部と前記外部端子との接合面に形成される第1の金層の厚さと、(b)前記ランド部と前記はんだバンプ電極との接合面に形成される第2の金層の厚さとを変えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 L
, H05K 1/18 K
