特許
J-GLOBAL ID：200903092085068447
アクティブマトリックス有機電界発光表示装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
八田 幹雄
, 奈良 泰男
, 齋藤 悦子
, 宇谷 勝幸
, 藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-303771
公開番号（公開出願番号）：特開2005-157312
出願日： 2004年10月19日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】 有機電界発光表示装置を提供する。【解決手段】 有機電界発光表示装置は、画素駆動回路領域と開口領域とを有する絶縁基板を具備する。絶縁基板の画素駆動回路領域上にソース電極とドレーン電極を有する薄膜トランジスターが位置する。ソース電極とドレーン電極上にソース電極またはドレーン電極を露出させるビアホールを有するパッシベーション絶縁膜が位置する。ビアホールの底に露出されたソース電極またはドレーン電極に接する画素電極が位置するが、画素電極は、パッシベーション絶縁膜上へ延長される。画素電極が位置したビアホール内にビアホールを埋め、ビアホール周辺の画素電極を露出させる第1感光性有機絶縁膜パターンが位置する。露出された画素電極上に有機発光層が位置する。【選択図】 図2c
請求項（抜粋）：
画素駆動回路領域と開口領域とを有する基板と、
前記基板の画素駆動回路領域上に位置し、ソース電極とドレーン電極を有する薄膜トランジスターと、
前記ソース電極と前記ドレーン電極上に位置し、前記ソース電極または前記ドレーン電極を露出させるビアホールを有するパッシベーション絶縁膜と、
前記ビアホールの底に位置して前記露出されたソース電極または前記ドレーン電極に接して、前記パッシベーション絶縁膜上へ延長された画素電極と、
前記画素電極が位置したビアホール内に位置して前記ビアホールを埋め、前記ビアホール周辺の画素電極を露出させる第1感光性有機絶縁膜パターンと、
前記露出された画素電極上に位置する有機発光層とを含むことを特徴とする、有機電界発光表示装置。
IPC (4件)：
G09F9/30
, H05B33/10
, H05B33/14
, H05B33/28
G09F9/30 338
, G09F9/30 365Z
, H05B33/10
, H05B33/14 A
, H05B33/28
3K007AB11
, 3K007BA06
, 3K007CB01
, 3K007DB03
, 3K007FA00
, 3K007GA00
, 5C094AA37
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094CA19
, 5C094DA15
, 5C094EA04
