特許
J-GLOBAL ID：200903087394411250

自発光装置及びその作製方法

発明者：
小沼 利光

小沼 利光 について

, 
丸山 純矢

丸山 純矢 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-047201
公開番号（公開出願番号）：特開2001-312223
出願日： 2001年02月22日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：
【要約】【課題】 電極ホール46における有機EL材料の成膜不良によるEL素子の発光不良を改善することを課題とする。【解決手段】 上記課題を達成するために、本発明では画素電極上の電極ホール46に絶縁体を埋め込み、保護部41bを形成させた後、有機EL材料を成膜することで、電極ホール46における成膜不良を防ぐことができる。これにより、EL素子の陰極、陽極間の短絡により電流集中が生じるのを防ぎ、EL層の発光不良を防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
TFT並びに前記TFTに電気的に接続された画素電極、前記画素電極上に形成されるEL層及び前記EL層上に形成される陰極からなるEL素子を有する自発光装置において、電極ホールに絶縁体からなる保護部が設けられていることを特徴とする自発光装置。
IPC (8件)：
G09F 9/30 365 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H04N 5/70 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/26
FI (7件)：
G09F 9/30 365 Z ,  G09F 9/30 338 ,  H04N 5/70 Z ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/26 Z ,  H01L 29/78 612 Z
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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