特許

J-GLOBAL ID：200903092095812594

半導体装置の信頼性評価方法及び半導体装置の信頼性評価プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体

発明者： 黒川 敦 ,  小松 富士彦
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-075728
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274023
出願日： 1998年03月24日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 評価精度を落とすことなく、大規模LSIのホットキャリアによるデバイス劣化寿命の信頼性評価の高速化を可能とする。【解決手段】 半導体装置における入力スルーと負荷容量の2変数からなる基板電流に関するデータを抽出してライブラリ化した基板電流ライブラリ15と、回路接続情報18、遅延ライブラリ17及びイベントファイル16を用いてホットキャリアによる半導体素子寿命を評価するものである。

請求項（抜粋）：

半導体装置における入力スルーと負荷容量の2変数からなる基板電流に関するデータを抽出してライブラリ化し、このライブラリ化した基板電流ライブラリと、回路接続情報ライブラリ、遅延ライブラリ及びイベント情報ライブラリを用いてホットキャリアによる半導体素子寿命を評価することを特徴とする半導体装置の信頼性評価方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  G06F 17/50 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

H01L 21/02 Z ,  H01L 21/66 M ,  G06F 15/60 666 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の設計支援装置および設計支援方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-147624   出願人：三菱電機株式会社