特許
J-GLOBAL ID：200903092112020826
超伝導近接効果を応用したセラミック/金属及びA15/金属超伝導複合材料
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-537863
公開番号（公開出願番号）：特表2001-513937
出願日： 1998年02月26日
公開日（公表日）： 2001年09月04日
要約：
【要約】複合超伝導材料(8)は不活性材料(4)にてコーティングされ、金属基質材料(6)によって囲まれたセラミック超伝導粒子(5)から形成される。金属基質材料(6)はコーティングされたセラミック粒子(5)の間の領域を充填する。不活性材料(4)はセラミックに対して化学的に不活性である。好ましくは不活性材料は銀である。コーティングは基質材料(6)からセラミック超伝導粒子(5)を化学的に絶縁する役割を果たす。基質材料は超伝導近接効果を受ける金属である。好ましくは基質材料はNbTi合金である。基質材料(6)は超伝導材料(8)の温度がセラミック超伝導粒子(5)の臨界温度よりも低い場合に超伝導近接効果によって超伝導状態に誘導される。超伝導材料(8)は基質材料(6)の向上した機械的性質を有する。本発明の別の一実施例では、好ましくはNbTi合金である金属基質材料中に置かれた、コーティングされていないA15化合物超伝導粒子を使用している。
請求項（抜粋）：
a)多数のセラミック超伝導粒子であって、それぞれの粒子が粒子に対して化学的な反応性を実質的に有さない不活性材料の層にてコーティングされた前記セラミック超伝導体粒子と、 b)前記コーティングされたセラミック粒子の間の領域を充填する金属基質材料であって、該基質材料は前記セラミック粒子の臨界温度よりも低い臨界温度を有する真性超伝導体であり、0.5よりも大きい電子-フォノンカップリング係数を有し、前記セラミック粒子によって誘起される超伝導近接効果を受け、前記セラミック粒子のそれぞれは前記近接効果によって電気的に結合される前記金属基質材料とを含む複合超伝導材料。
IPC (2件)：
H01B 12/00 ZAA
, H01B 13/00 565
H01B 12/00 ZAA
, H01B 13/00 565 C
