特許
J-GLOBAL ID:200903092113784420
組織化分解ジブロックコポリマー薄膜からのナノパターン化テンプレート
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
竹本 松司
, 杉山 秀雄
, 湯田 浩一
, 魚住 高博
, 手島 直彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-272578
公開番号(公開出願番号):特開2006-055982
出願日: 2004年08月23日
公開日(公表日): 2006年03月02日
要約:
【課題】ナノスケール物品製造用のナノパターン化テンプレートの製造方法を提供する。【解決手段】該ナノパターン化テンプレートは、周期性配列細孔地形を具えたナノ細孔薄膜を具え、この薄膜は、(a)ブロック重合工程を使用して相容しない第1及び第2ポリマーブロックを含有するブロックコポリマーをを形成するするステップ、(b)該第1ポリマーブロックが周期性配列トポロジーを形成する条件下で薄膜を形成するステップ、(c)選択的に第1ポリマーブロックを劣化させて該薄膜を周期性配列細孔性地形を具えたナノ細孔性材料となすステップ、により形成される。好ましい実施例では、ブロックコポリマーはPS-PLLAキラルブロックコポリマーであり、第1ポリマーはポリ(L-ラクタイド)、第2ポリマーはポリスチレンであり、第1ポリマーブロックは薄膜に垂直な軸を具えた六角形円柱状地形に形成される。【選択図】図3A
請求項(抜粋):
ナノスケール物品の製造方法において、
(a)ナノパターン化テンプレートを取得し該ナノパターン化テンプレートを使用してナノスケール物品を形成するステップと、
(b)上記ナノパターン化テンプレートを、
(i)ブロック重合工程を使用して相容しない第1及び第2ポリマーブロックを含有するブロックコポリマーをを形成するするステップ、
(ii)該第1ポリマーブロックが周期性配列トポロジーを形成する条件下で薄膜を形成するステップ、
(iii)選択的に第1ポリマーブロックを劣化させて該薄膜を周期性配列細孔性地形を具えたナノ細孔性材料となすステップ、
により形成するステップ、
を具えたことを特徴とする、ナノスケール物品の製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
引用特許: