特許

J-GLOBAL ID：200903092152623787

半導体装置の製造方法

発明者： 西澤 潤一 ,  鈴木 壮兵衛
出願人/特許権者： 新技術事業団 ,  西澤 潤一 ,  鈴木 壮兵衛
代理人 (1件)： 紋田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-037349
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132239
出願日： 1984年07月26日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 エピタキシャル成長層界面の欠陥が少なく、微細構造で、しかも高品質な半導体装置を製造する。【構成】 分子層単位の精度を要求されるほどのエピタキシャル成長薄膜の結晶性は、基板の結晶性や基板の表面状態さらには基板とエピタキシャル成長膜との界面の欠陥の影響を非常に受けるため、所望のエピタキシャル成長する前に、基板と同じ電導型でほぼ同程度の抵抗率(不純物密度)のバッファーエピタキシャル層を形成してから所望のエピタキシャル成長を行なう。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面の少なく共一部に、第1導電型高不純物密度の第1の半導体領域を形成する第1の工程と、前記半導体基板を成長槽内に配置し、前記半導体基板の表面に関して少なく共2種類の活性な原料ガスを10-1〜10-4Paなる圧力範囲で前記半導体基板の表面に導入して交換表面反応を実現し、該交換表面反応と同時に第1導電型となるドーパントガスを前記半導体基板の表面に導入し、前記第1の半導体領域の上部に連続して第1導電型高不純物密度の第2の半導体領域を分子層単位で形成し、バッファー層領域とする第2の工程と、前記第2の工程に連続して、前記交換表面反応により、第3の半導体領域を前記第2の半導体領域に連続して分子層単位で形成する第3の工程、とを少なく共含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/804

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-034921
  
• 特公平7-082991
  
• 化合物半導体単結晶薄膜の成長法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-322680   出願人：新技術事業団, 西澤潤一, 沖電気工業株式会社, 鈴木壮兵衛