特許
J-GLOBAL ID：200903092156802163
シリコン単結晶製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-338459
公開番号（公開出願番号）：特開平9-175895
出願日： 1995年12月26日
公開日（公表日）： 1997年07月08日
要約：
【要約】【課題】 HMCZ法によるシリコン単結晶の製造において、格子間酸素濃度の制御精度を向上させ、なおかつ成長方向においても格子間酸素濃度の均一性が高いシリコン単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 石英ルツボ内に収容したシリコンメルトに水平磁界を印加しシリコン単結晶を引き上げる方法(HMCZ法)によって、少なくともゼロでない回転数を有する石英ルツボからシリコン単結晶を引き上げるにあたり、当該石英ルツボの基準回転数に更にパルス状の増減を付加し、その回転数の差並びにサイクルを所定のプログラムで設定する。
請求項（抜粋）：
石英ルツボ内に収容したシリコンメルトに水平磁界を印加しシリコン単結晶を引き上げる方法(HMCZ法)によって、少なくともゼロでない回転数を有する石英ルツボからシリコン単結晶を引き上げるにあたり、当該石英ルツボの基準回転数に更にパルス状の回転数の増減を付加し、その回転数の差並びにサイクルを所定のプログラムで設定することを特徴とするシリコン単結晶製造方法。
IPC (5件)：
C30B 29/06 502
, C30B 29/06
, C30B 15/20
, C30B 33/04
, H01L 21/208
C30B 29/06 502 H
, C30B 29/06 502 G
, C30B 15/20
, C30B 33/04
, H01L 21/208 P
