不揮発性半導体記憶装置、その製造方法及び動作方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-201115
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026150
出願日： 2000年07月03日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】一対の不純物拡散層間にある複数のビットを、それぞれのビットに対応したゲート電極を用いて、同一又は異なったゲート電圧によって制御して読み出し精度の向上を図ることができる不揮発性半導体記憶装置、その製造方法及び動作方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板1表面に形成された一対の不純物拡散層14と、不純物拡散層14間であり不純物拡散層14のそれぞれに隣接するように基板1上にONO膜9を介して形成された2つの制御ゲート10と、制御ゲート10間であり基板1上にワードゲート絶縁膜17を介して形成されたワード線23を有するワードゲートトランジスタとからなり、2つの制御ゲート10とワードゲートトランジスタとが直列に接続されて単位セルUCが構成されてなる不揮発性半導体記憶装置。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に形成された一対の不純物拡散層と、これら不純物拡散層間であって、これら不純物拡散層のそれぞれに隣接するように半導体基板上に電荷蓄積層を介して形成された2つの制御ゲートと、これら制御ゲート間であって半導体基板上にワードゲート絶縁膜を介して形成されたワード線を有するワードゲートトランジスタとからなる不揮発性半導体装置であって、前記2つの制御ゲートと前記ワードゲートトランジスタとが直列に接続されて単位セルが構成されてなる不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 , H01L 27/115 , G11C 16/02 , G11C 16/04 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (6件)：

H01L 27/10 434 , G11C 17/00 611 Z , G11C 17/00 612 Z , G11C 17/00 613 , G11C 17/00 623 Z , H01L 29/78 371

Fターム (70件)：

5B025AA07 , 5B025AB01 , 5B025AB03 , 5B025AC02 , 5B025AD04 , 5B025AD05 , 5B025AD08 , 5B025AE05 , 5F001AA13 , 5F001AB07 , 5F001AB08 , 5F001AB20 , 5F001AC02 , 5F001AC06 , 5F001AD60 , 5F001AE02 , 5F001AE03 , 5F001AE08 , 5F001AF20 , 5F001AG02 , 5F001AG07 , 5F001AG10 , 5F001AG12 , 5F001AG30 , 5F083EP18 , 5F083EP23 , 5F083EP28 , 5F083EP30 , 5F083ER02 , 5F083ER06 , 5F083ER09 , 5F083ER11 , 5F083HA06 , 5F083JA04 , 5F083JA35 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA53 , 5F083JA56 , 5F083KA01 , 5F083KA08 , 5F083LA16 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR06 , 5F083PR07 , 5F083PR10 , 5F083PR14 , 5F083PR29 , 5F083PR33 , 5F083PR36 , 5F083PR39 , 5F083ZA21 , 5F101BA45 , 5F101BB03 , 5F101BB05 , 5F101BB09 , 5F101BC02 , 5F101BC11 , 5F101BD35 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BF05 , 5F101BH03 , 5F101BH09 , 5F101BH14 , 5F101BH16 , 5F101BH19

引用特許：

審査官引用 (2件)

不揮発性半導体記憶装置およびその動作方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-180762 出願人：ソニー株式会社
不揮発性メモリセルおよびその使用方法、製造方法ならびに不揮発性メモリアレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-312054 出願人：株式会社ニューヘイロ, ヘイロエルエスアイデザインアンドディヴァイステクノロジーインコーポレイテッド

前のページに戻る