特許

J-GLOBAL ID：200903067396398357

不揮発性半導体記憶装置およびその動作方法

発明者： 藤原 一郎 ,  小林 敏夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-180762
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237330
出願日： 2000年06月12日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】MONOS型メモリセルの書き込み時のホットエレクトロン(HE)注入効率を上げ、またスケーリング性を向上させる。【解決手段】基板の表面に設けられたチャネル形成領域、チャネル形成領域を挟んで動作時にソースまたはドレインとなる第1および第2不純物領域SBLi,SBLi+1、チャネル形成領域上で複数の膜からなるゲート絶縁膜10、ゲート絶縁膜上のゲート電極WL、チャネル形成領域に対向した面内および膜厚方向に離散化されてゲート絶縁膜10内に形成され、動作時に印加電界により励起されたホットキャリアが注入される電荷蓄積手段(キャリアトラップ)とを有する。ゲート絶縁膜10を構成する最下層のボトム絶縁膜11は、当該ボトム絶縁膜11と基板とのエネルギー障壁を二酸化珪素とシリコンとのエネルギー障壁より小さくし、FN電気伝導特性を示す誘電膜を含む。

請求項（抜粋）：

基板と、当該基板の表面に設けられ半導体のチャネル形成領域と、当該チャネル形成領域を挟んで基板表面に形成され、動作時にソースまたはドレインとなる第1および第2不純物領域と、上記チャネル形成領域上に積層された複数の膜からなるゲート絶縁膜と、当該ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、上記チャネル形成領域に対向した面内および膜厚方向に離散化されて上記ゲート絶縁膜内に形成され、動作時に印加電界により励起されたホットエレクトロンが注入される電荷蓄積手段とを有し、上記ゲート絶縁膜を構成する最下層のボトム絶縁膜は、当該ボトム絶縁膜と上記基板とのエネルギー障壁を二酸化珪素とシリコンとのエネルギー障壁より小さくする誘電膜を含む不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 21/318 M ,  H01L 21/318 C ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

Fターム (80件)：

5F001AA13 ,  5F001AA19 ,  5F001AB20 ,  5F001AC02 ,  5F001AC06 ,  5F001AD04 ,  5F001AD05 ,  5F001AD19 ,  5F001AD41 ,  5F001AD52 ,  5F001AD60 ,  5F001AD61 ,  5F001AD70 ,  5F001AE02 ,  5F001AE03 ,  5F001AE08 ,  5F001AF20 ,  5F001AG02 ,  5F001AG03 ,  5F001AG21 ,  5F001AG22 ,  5F001AG30 ,  5F058BD02 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF03 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01 ,  5F083EP07 ,  5F083EP09 ,  5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083EP28 ,  5F083EP32 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP35 ,  5F083EP36 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083EP77 ,  5F083ER02 ,  5F083ER05 ,  5F083ER06 ,  5F083ER11 ,  5F083ER15 ,  5F083ER16 ,  5F083ER19 ,  5F083ER30 ,  5F083GA05 ,  5F083HA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083KA06 ,  5F083KA08 ,  5F083KA12 ,  5F083KA13 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083PR12 ,  5F083PR15 ,  5F083PR16 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR39 ,  5F083ZA21

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭48-073086
  
• 特開昭60-055669
  
• 半導体不揮発性メモリトランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-068482   出願人：シチズン時計株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置及びその読み出し方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-272184   出願人：ソニー株式会社