特許
J-GLOBAL ID:200903092222427905
プラズマCVD装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小池 晃 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-122612
公開番号(公開出願番号):特開平8-319572
出願日: 1995年05月22日
公開日(公表日): 1996年12月03日
要約:
【要約】【構成】 プラズマCVD装置において、放電電極8を、対向電極11に対して、被処理体の導入される側がその逆側よりも近くなるように配置する。【効果】 良質な膜質のCVD膜を形成することができる。したがって、本発明のプラズマCVD装置によれば、例えば磁気記録媒体の硬質カーボン保護膜が高い硬度で形成でき、耐久性に優れた磁気記録媒体を得ることが可能となる。
請求項(抜粋):
真空チャンバ内に、放電電極と円筒型の対向電極とが対向配置され、前記対向電極の周面に沿って被処理体が連続走行するプラズマCVD装置において、放電電極は、対向電極に対して、被処理体の導入される側がその逆側よりも近くなるように配置されていることを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (2件):
FI (2件):
引用特許:
出願人引用 (4件)
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特開昭62-259427
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特開昭59-213176
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特開平4-226016
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-079675
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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審査官引用 (3件)
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特開昭62-259427
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特開昭59-213176
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特開平4-226016
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