特許

J-GLOBAL ID：200903092224979026

半導体装置

発明者： 田中 壯和 ,  高橋 康平 ,  岡部 誠司
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-028839
公開番号（公開出願番号）：特開2009-177104
出願日： 2008年02月08日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：

【課題】高温動作時のボンディングワイヤと電極パッドとの接合領域の信頼性を向上させる。【解決手段】半導体装置100は、半導体チップ102、半導体チップ102に設けられ、Alを主成分としCuをさらに含むAlCuパッド107、および、半導体チップ102の外部に設けられたインナーリード117と半導体チップ102とを接続するとともに、Cuを主として含む接続部材であるCuPワイヤ111を備え、実質的にハロゲンを含まない封止樹脂115により封止されている。AlCuパッド107とCuPワイヤ111の接続領域に、AlとCu組成比が異なる複数の合金層が設けられ、合金層が、CuAl2層と、CuAl2層とCuPワイヤ111との間に設けられるとともにCuAl2層よりもAl組成比が相対的に低い層とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体チップと、 前記半導体チップに設けられ、Alを主成分としCuをさらに含む電極パッドと、 前記半導体チップの外部に設けられた接続端子と前記半導体チップとを接続するとともに、Cuを主として含む接続部材と、 を備え、 前記接続部材と前記電極パッドとの接続領域に、AlとCuの組成比が異なる複数のCuおよびAlの合金層が設けられ、 前記CuおよびAlの合金層が、 CuAl2層と、 前記CuAl2層と前記接続部材との間に設けられるとともに前記CuAl2層よりもAl組成比が相対的に低い層と、 を含み、 前記電極パッドと前記接続部材とが、実質的にハロゲンを含まない封止樹脂により封止された、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

H01L21/60 301P ,  H01L21/60 301F ,  H01L23/30 R

Fターム (10件)：

4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109EA02 ,  4M109EA11 ,  4M109EB13 ,  5F044AA01 ,  5F044EE04 ,  5F044EE06 ,  5F044FF06 ,  5F044JJ03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭64-37044号公報
  
• 特開平1-187832号公報
  

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-052452
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-044854   出願人：NECエレクトロニクス株式会社
• 特公平8-017189