特許

J-GLOBAL ID：200903079226097237

半導体装置

発明者： 太田 充 ,  加藤 友規
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-044854
公開番号（公開出願番号）：特開2006-270075
出願日： 2006年02月22日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：

【課題】高温動作時のボンディングワイヤと電極パッドとの接合領域の信頼性を向上させる。【解決手段】半導体装置100は、リードフレーム121上に半導体チップ102が設けられ、これらが封止樹脂115により封止されている。リードフレーム121の側方にリードフレーム119が設けられている。リードフレーム119の一部はインナーリード117として封止樹脂115に封止されている。封止樹脂115は、ハロゲンを実質的に含まない樹脂組成物により構成される。また、半導体チップ102に設けられたAlパッド107の露出部とインナーリード117とが、AuPdワイヤ111により電気的に接続されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体チップと、 前記半導体チップに設けられた電極パッドと、 前記半導体チップの外部に設けられた接続端子と前記半導体チップとを接続する接続部材と、 を備え、 前記電極パッドと前記接続部材とが封止樹脂により封止された半導体装置であって、 前記接続部材が、下記式(I)で示される金属を含むとともに、 前記封止樹脂が、実質的にハロゲンを含まないことを特徴とする半導体装置。 AuM (I) (ただし、上記式(I)において、Mは、Pd、Cu、AgおよびPtのうち、少なくとも一つを含む。)

IPC (3件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/60

FI (3件)：

H01L23/30 R ,  H01L21/60 301P ,  H01L21/60 301F

Fターム (6件)：

4M109AA01 ,  4M109EC00 ,  4M109GA10 ,  5F044EE04 ,  5F044EE21 ,  5F044FF04

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-113204   出願人：新日本製鐵株式会社
• 特開平4-206651号公報
  

審査官引用 (6件)

• ノンハロゲン難燃化封止用樹脂組成物および電子部品封止装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-038834   出願人：京セラケミカル株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-093421   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体装置のボンディング用金合金細線
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-317514   出願人：三菱マテリアル株式会社
• ワイヤをウェッジ接合した半導体装置および金合金ボンディングワイヤ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-120333   出願人：新日本製鐵株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-126032   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平4-297042