特許
J-GLOBAL ID:200903092226243434
蛍光薄膜およびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
川野 宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-308638
公開番号(公開出願番号):特開2005-075943
出願日: 2003年09月01日
公開日(公表日): 2005年03月24日
要約:
【課題】薄膜エレクトロルミネッセンス表示装置や電界放出型表示装置等の自発光型画像表示装置の発光層として機能する蛍光薄膜において、超微粒子化された蛍光粉体を用いて高効率発光を得る際に、その超微粒子が凝集しにくく、粒子の表面処理が容易で、しかも濃度消光が生じにくいものとする。【解決手段】この薄膜は、粒径が10nm以下のストイキオメトリック蛍光体の微粉体を、該蛍光体よりも広いバンドギャップを有する母体材料により構成される薄膜中に埋設してなり、蛍光体としてEuGa2S4が、母体材料としてZnSが用いられており、EuGa2S4からなる厚みの小さい蛍光層とZnSからなる比較的厚みの大きい母体材料層とが交互に形成されることにより得られる。蛍光層が、10分子層以下の厚みの小さい層であるから、実際には母体材料層間で島状(ドット状)に形成される。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
粒径が10nm以下のストイキオメトリック蛍光体の微粉体を、該蛍光体よりも広いバンドギャップを有する母体材料により構成される薄膜中に埋設してなることを特徴とする蛍光薄膜。
IPC (8件):
C09K11/00
, C09K11/08
, C09K11/56
, C09K11/84
, H01J1/63
, H01J9/227
, H01J29/18
, H05B33/14
FI (9件):
C09K11/00 A
, C09K11/08 A
, C09K11/08 J
, C09K11/56
, C09K11/84
, H01J1/63
, H01J9/227 C
, H01J29/18 C
, H05B33/14 Z
Fターム (18件):
3K007AB02
, 3K007AB03
, 3K007AB04
, 3K007DA02
, 3K007DA05
, 3K007DB01
, 3K007DB02
, 3K007DC04
, 3K007EA02
, 4H001CA05
, 4H001CF01
, 4H001XA16
, 4H001XA30
, 4H001XA31
, 4H001XA38
, 4H001XA63
, 5C028HH01
, 5C028HH14
引用特許:
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