半導体基板及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：林敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-091686
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302791
出願日： 1993年04月19日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】 SOIウェハに生じる温度上昇の欠点を抑え、信頼性の高い集積回路を形成するための半導体基板を提供することを目的とする。【構成】単結晶シリコン基板11中に局所的に絶縁物13が埋め込まれている。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン基板に局所的に絶縁膜が埋め込まれていることを特徴とする半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 27/12 , H01L 21/265 , H01L 21/76

FI (2件)：

H01L 21/265 A , H01L 21/265 J

引用特許：

審査官引用 (9件)

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