特許

J-GLOBAL ID：200903092231396869

電極膜形成用Cu系スパッタリングターゲットおよびその製造方法ならびにCu系電極膜

発明者： 高島 洋
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-217052
公開番号（公開出願番号）：特開平11-050242
出願日： 1997年07月28日
公開日（公表日）： 1999年02月23日
要約：

【要約】【課題】 優れた耐食性と低い抵抗率を有する半導体、液晶、プラズマディスプレイ等の電極膜を再現性良く製造することができるCu系スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 本発明は、Cuを主体とするマトリックスに、該マトリックスに非固溶な遷移金属元素相、たとえば(Cr、Co、Mo、W、Fe、Nb、V)が分散している電極膜形成用ターゲットである。ターゲットは、Cuに非固溶な遷移金属元素粉末と、Cu粉末とを混合し、加圧焼結することによって得ることができる。このターゲットを用いて、薄膜を形成した後、熱処理を施すことにより、Cuマトリックスに、Cuに非固溶な遷移金属元素が析出した低抵抗のCu系電極膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

Cuを主体とするマトリックスに、該マトリックスに非固溶な遷移金属元素相が分散していることを特徴とする電極膜形成用Cu系スパッタリングターゲット。

IPC (5件)：

C23C 14/34 ,  C22C 9/00 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C22C 1/04

FI (5件)：

C23C 14/34 A ,  C22C 9/00 ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 Z ,  C22C 1/04 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-248448
  
• スパツタ方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-239352   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平1-309961