特許
J-GLOBAL ID：200903092249463121
気相成長用シリコン単結晶基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 良男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-225517
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070080
出願日： 1996年08月27日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：
【要約】【課題】 オートドープの影響がなく、しかも、ノジュールの発生を効果的に防止できるシリコン単結晶基板の製造方法を提供する。【解決手段】 周辺部が面取りされたシリコン単結晶基板にCVD膜を形成し、前記基板の主表面にエピタキシャル層を気相成長するにあたり、該エピタキシャル層の形成前にCVD膜のうちシリコン単結晶基板の主表面側に回り込んだ部分をテープ研磨によって除去するようにしたことを特徴とするものである。
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶基板の裏面上および側面上にCVD膜を成長する工程と、前記側面上に成長した前記CVD膜のうち前記シリコン単結晶基板の主表面側に回り込んだ部分をテープ研磨により除去する工程と、前記シリコン単結晶基板の主表面を鏡面研磨する工程とを有することを特徴とする気相成長用シリコン単結晶基板の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, H01L 21/02
, H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, H01L 21/31
H01L 21/205
, H01L 21/02 B
, H01L 21/304 321 S
, H01L 21/304 321 Z
, H01L 21/31 B
