特許

J-GLOBAL ID：200903092249921758

薄膜バリスタの製造方法及び薄膜バリスタ

発明者： 梶芳 浩二 ,  浜地 幸生 ,  坂部 行雄 ,  吉村 昌弘
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所 ,  新技術事業団 ,  吉村 昌弘
代理人 (1件)： 西澤 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-124309
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299209
出願日： 1992年04月16日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 低温でかつ、簡便に低電圧回路に対応することが可能な薄膜バリスタを製造する。【構成】 チタン(Ti)金属からなるチタン基板1を0.1mol/l 以上のストロンチウムイオン(Sr2+)を含むpH13以上の処理水溶液に浸漬し、100°C以上の温度で水熱処理することによりチタン基板1の表面にチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)薄膜2を形成した後、チタン酸ストロンチウム薄膜2上に電極として金属膜3を形成する。

請求項（抜粋）：

チタン(Ti)金属からなるチタン基板を0.1mol/l 以上のストロンチウムイオン(Sr2+)を含むpH13以上の処理水溶液に浸漬し、100°C以上の温度で水熱処理することにより前記チタン基板の表面にチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)薄膜を形成した後、前記チタン酸ストロンチウム薄膜上に電極として金属膜を形成することを特徴とする薄膜バリスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01C 7/10 ,  H01C 17/16 ,  H01C 17/28 ,  H01L 27/06