特許
J-GLOBAL ID：200903092268710440
集積回路構造体およびその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-158447
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008300
出願日： 1998年05月22日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：
【要約】【課題】 最も必要とされるところに低K誘電性材料を選択的に配置するダマスクコンタクト(二重はめ込みコンタクト)のための低K誘電性プロセスであって、その選択的配置により機械的強度が低いこと,熱伝導度が低いこと,水分吸収があることなどの低K誘電性材料が本来持つ欠点のいくつかを軽減するプロセスを提供する。【解決手段】 二重はめ込みコンタクト構造(ダマスク)を形成する方法は、二重はめ込みコンタクト構造をエッチングすることにより開始される。マスキング層と、低K誘電性材料のデポジションとを用いて、低K誘電性材料が絶対的に必要とされる臨界部のみに低K領域を選択的に形成する。ウェハの他の部分は、従来の酸化物を覆う状態で残るので、低K誘電性材料の悪影響が最小限に抑えられる。次に導電性材料が形成されて二重はめ込みコンタクト構造が完成され、それにより低K誘電性プラグが最終構造内のクロストークと容量を軽減する。
請求項（抜粋）：
集積回路構造体(10)であって:第1側壁とそれに対向する第2側壁とを有する導電性相互接続領域(40または38);前記導電性相互接続領域の前記第1側壁と横方向に隣接し、それとコンタクトする第1誘電性領域(24)であって、第1誘電率を有する第1誘電性領域(24);および前記導電性相互接続領域の前記第2側壁と横方向に隣接し、それとコンタクトする第2誘電性領域(30)であって、当該第2誘電性領域は第2誘電率を有し、かつ前記第1誘電率が前記第2誘電率よりも大きい第2誘電性領域(30);によって構成されることを特徴とする集積回路構造体(10)。
引用特許：
前のページに戻る
