半導体記憶素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-287137
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100687
出願日： 2000年09月21日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】浮遊ゲートとして電荷蓄積微粒子を有する不揮発性半導体記憶素子において、十分に長いリテンションを実現する。【解決手段】ソース領域106及びドレイン領域107間に形成されたチャネル領域108と、前記チャネル領域108上に形成され、量子力学的に電子が直接トンネルすることが可能な第1の絶縁層102と、前記第1の絶縁層102上に形成された半導体或いは導体からなる電子蓄積微粒子109とを具備し、前記電子蓄積微粒子109における伝導帯端のエネルギーバンドが、前記チャネル領域108における伝導帯端のエネルギーバンドよりも低いことを特徴とする半導体記憶素子。

請求項（抜粋）：

半導体層と、前記半導体層中に形成されたソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及びドレイン領域間に形成されたチャネル領域と、前記チャネル領域上に形成され、量子力学的に電子が直接トンネルすることが可能な第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に形成された半導体或いは導体からなる電子蓄積微粒子と、前記電子蓄積微粒子上に形成された第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上に形成された制御電極とを具備し、前記電子蓄積微粒子における伝導帯端のエネルギーバンドが、前記チャネル領域における伝導帯端のエネルギーバンドよりも低いことを特徴とする半導体記憶素子。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Fターム (27件)：

5F001AA19 , 5F001AA34 , 5F001AB02 , 5F001AC02 , 5F001AD20 , 5F001AF06 , 5F001AG22 , 5F083EP03 , 5F083EP07 , 5F083EP09 , 5F083EP17 , 5F083EP22 , 5F083ER03 , 5F083ER06 , 5F083ER11 , 5F083ER14 , 5F083ER15 , 5F083HA06 , 5F083JA31 , 5F083PR12 , 5F101BA16 , 5F101BA54 , 5F101BB02 , 5F101BC02 , 5F101BD12 , 5F101BF02 , 5F101BH04

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体記憶装置ならびにその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-283691 出願人：株式会社日立製作所

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