特許
J-GLOBAL ID:200903092300738998

ガスクラスターイオンビームによる固体表面の 平坦化方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西澤 利夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-057587
公開番号(公開出願番号):特開平8-293483
出願日: 1995年03月16日
公開日(公表日): 1996年11月05日
要約:
【要約】【構成】 常温および常圧で気体状物質の塊状原子集団または分子集団であるガスクラスターを形成し、これに電子を浴びせて生成させたガスクラスターイオンを加速電圧によって加速して基板表面に照射し、固体表面を平坦化する。【効果】 表面損傷を生じることなく、半導体、その他電子デバイス等の固体表面の平坦化、さらにはその表面清浄化も可能となる。
請求項(抜粋):
常温および常圧で気体状物質の塊状原子集団または分子集団であるガスクラスターイオンを固体表面に照射してその表面を平坦化することを特徴とするガスクラスターイオンビームによる固体表面の平坦化方法。
IPC (2件):
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00
FI (3件):
H01L 21/302 N ,  C23F 4/00 C ,  H01L 21/302 F
引用特許:
審査官引用 (10件)
  • ドライエツチング方法及びそのための装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-260376   出願人:株式会社東芝
  • 特開平4-354865
  • 特開昭63-038232
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